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  • 型号: BFP 840FESD H6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BFP 840FESD H6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC TRANSISTOR RF NPN TSFP-4

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon_Robust_WiFi_SiGe_LNA_BFP840FESD_Rev1_1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304336ca04c90136e88f755435bf

产品图片

产品型号

BFP 840FESD H6327

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 10mA, 1.8V

供应商器件封装

4-TSFP

其它名称

BFP 840FESD H6327DKR

功率-最大值

75mW

包装

Digi-Reel®

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

0.75dB @ 5.5GHz

增益

35dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

2.6V

电流-集电极(Ic)(最大值)

35mA

频率-跃迁

85GHz

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